STGSB200M65DF2AG

STGSB200M65DF2AG是STMicroelectronics的电子元器件型号,属于单 IGBT。规格:IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。

现货供应哪些器件?

深圳集群科技的现货包括集成电路(IC)、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格,确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。

如何按料号询价?

先打开型号页,用料号核对品牌、封装和电气规格,确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单,一次列清清单。

是否支持 BOM 配单?

支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后,我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目,并回复可交付数量,以及需要订货的项目。

零件编号:
STGSB200M65DF2AG
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
输入类型 Standard
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
集电极脉冲电流 (Icm) 700 A
最大功率 714 W
封装 / 外壳 9-PowerSMD
供应商器件封装 9-ACEPACK SMIT
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 200A
集电极电流(Ic)(最大值) 216 A
开关能量 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
栅极电荷 554 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 122ns/250ns
测试条件 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
反向恢复时间 174.5 ns